我国存储大厂长江存储在美国加州北区对美光提起诉讼，指控美光 (MU-US) 侵犯11项专利，涉及3D NAND相关技术，长江存储请求法院勒令美光停止在美国销售侵权记忆体产品，并支付专利使用费。


据美国科技网站 Tomshardware报道，长江存储表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）及 232层（B58R）3D NAND Flash 以及美光的一些 DDR5 SDRAM 产品（Y2BM系列），侵犯长江存储在美国提交的 11 项专利或专利申请。
这些专利申请涵盖 3D NAND 和 DRAM 功能的一般层面。外媒认为，长江存储的目的，是让美光的日子更难过。

美国商务部在2022年底把长江储存打入黑名单，导致该公司无法从美国公司获得先进半导体设备来制造领先的128层及以上的 3D NAND Flash 器件。去年长江储存面临更大的问题，美国商务部禁止销售可用于制造超过 128 个 3D NAND 的晶圆厂工具和技术。