超预期点:

1.专家认为，H2024年910产量约为50W，HWJ2024年产量约为50W 20-30W颗。2.H+同时，长鑫两家公司同时推进 HBM 生产线，近两年国内需求约 530W，大头是华为，会切换成国产HBM，产能缺口大。

3.深算3号性能对标A100，在生产过程中，进度有望超出预期。

Q:长信HBM的进步和后续节奏

A:目前，中国只有长信有实用产品。计划于2020年10月开始，寻找通富和长电，23年1月取消与长电的合作项目，只有通富继续合作。23年5月中下旬，通富微电成功生产出国内首批基于3D对装的HBM柱，规格为8层叠HBM2容量8GB。24Q1生产了一批产品，预计3月中旬晶圆对测完成，出货量1k颗8Hi8GB HBM2作为长信销售或送样的最终产品。

长信的下一步计划是23H1，HBM2E仍然是8层计划，项目周期持续到26H2。根据现有的项目安排，HBM2的最终需求逐渐减少，预计将有24Q4 10w 发货后不再做HBM2，25Q1开始小批量HBM2E。

Q:长鑫HBM 与海外大厂在层数和容量上的差异

A:目前HBM2E的主流是8Hi16GB，4Hi8GB，HBM3为8/12Hi。这很容易与单die有关。HBM2工艺为16-19nm，HBM2E14-16nm，后续单die 高容量需要1ū、1B工艺能力。

Q:产品良率情况产品良率情况产品良率情况

A:HBM2 以DRAM 裸晶国模式发给通富微电，裸品圆现有良率约83%；封装良率约72%：最终产品良率为50%-60%。后续还有提升空间，产品圆良率需要长信提升:国际大厂包装良率在85%左右，提升空间在10pct以上。提高良率的方法：首先，通富现在是一条中试线，设备由其他业务部门组装，后续批量生产线的良率将大大提高。第二，包装过程中最大的良率损失在于堆叠，4Hi/8Hi 目前都是 C2W 这样，逻辑圆放在底部，每个芯片堆叠48次形成重组晶圈，最后切割，堆叠过程可能弯曲，层数越高，失败的可能性越大。解决方案之一是晶国厂在两片品圆中做Hybrid Bonding 形成晶圆，可减半装厂堆叠次数，有效提高包装率。Hybridbonding对晶圆的良率

目前损失很大，只有两件，SKHynix和三星都有相关技术，长鑫的技术已经在通富研发中引进，HBM2E可能会使用。

Q:HBM2E会比HBM2更难包装吗？

A:如果只是品圆从HBM2 升级到 HBM2E，安装过程中没有良率变化。但长信HBM2EE 还处于研发状态，真正量产的时候通富会有量产线，长信可能会用Hybridbondingng， 减少堆叠次数，因此良率有所提高，预计将达到80%以上。跟随国际头部 85%的良率可能是knowhow。 部分差异在。

Q:长信会导入沛顿吗？

A:目前长鑫 DRAM 封测合作伙伴:沛顿50%、通富30%、长电20%，长电越来越少，流向通密和沛颂。HBM 测量技术与传统DRAM有很大的不同。传统DRAM的主要委员会使用FCBGA。HBM需要TSV的技术和设备。目前，只有通福、长电、盛和晶微有这个过程。培灵以后可能会有项目。

Q:长鑫HBM 装端价值价格是否具有性价比？

A:目前计安8HiHBM200元1件，毛利率约30%，净利润暂时不计算(至少20%)。

目前，长信的产品性能与SKHynix相匹配，几个指标几乎相同：（1）带宽超过300gb/s(SK Hynix 310gb/s左右):(2)长信可以堆更多层数，容量不差:(3)I/0 速率与 SK Hynix 相当，2.4Gbps，平行替代可以做到。价格：SK海力士HBM28GB120美会，长鑫尚未定价，内部希望60-70元/GB，8GB 500 元左右。

Q:国内其他 DRAM 厂商有做 HBM 的计划吗?

A:长鑫+通富只有一条生产线在中国生产，长鑫做设计和品圆制造，通富做封测。另一条生产链由H牵头，于23年10月批准。现在形成了一个小团队，设计端是H，流片是祸建晋华和北京开维旭，封测端是盛合品微和长电微电子。计划24H1 H2封测端封装导入产品圆流片。25年不断调试。最终产品于2603推出，项目定义基于12HiHBM3.可以先做。 4/8Hi。

Q:盛合品微产能有限，HBM有产能吗？

A:盛合现有可能很紧，但实际上 CoWVoS 产线 99%的设备和工艺可以和谐 HBM 共享，只需要增加购买和开发 1%，技术上并不难。从产能来看，盛合品微正在扩产26年，应该能够满足需求。但扩产过程也给了其他家庭机会，最终不一定在盛合晶微做，也可能在长电微电子。盛合品微长期做COWV，0S 而且测试是长电做的，目前长电微电是帮盛合品微做的 HBM3 但长电也在布局2.5D13D封装，24年长电微电子将形成小规模2.5D/3D村装线，包括CoW和OS。

Q:HBM，长鑫和H 包装的过程是什么？涉及设备和材料？

A:TCBB目前使用长鑫HBM2 热压键合，HBM2E或TCB。HBM3目前的技术仍然是TCB，但盛合品微和长电微电子正在进行中 Hybrid Bonding 前期调查可能是面向的 HBM3E。

TCB 现有的热压键合设备都是进口的，通富的TCB主要是BESlDatacon，还有个位教ASMPT设备。盛合品微TCB最近都是BESI。长点微电子23年开始购买设备，目前也是 BESI。

Q:海外制造商使用TCB或Hybridid Bonding?

A:TCB盘盖可用于HBM3E之前的第二代，HBM4 TCB不能使用，因为HBM4 I/O 而TCB更密集 需要做 Bumping。HBM3E 三星也开始使用 HybridBonding，主要是因为SK海力士希望三星的封测端技术有营销噱头来提高市场份额。

Q:长信和H在没有EUV的情况下能做到多少代？后续有补救办法吗？A:HBM3 要求在 14nm 下面，有一个项目必须有解决办法，不清楚是否有解决办法 EUV,但是可以通过类似的重复曝光来补救。长信的产品不涉及太精细的光刻技术，HBM2E在14-19nm之间。

Q:国内HBM 如何计算窝求空问？

A:由于最大的出货量是开腾，开腾只在盛合品微制造。盛合品微预计今年将出货50w个异腾产品，对应6个HBM需求，每个HBM约1500元。第二个是案例纪律，每年约20-30W，对应6个HBM。其他家庭加起来大约10W，平均

应为5个HBM。预计国内A1芯片出货量为90W，对应约530W预HBM需求。

Q:HBM的提升速率主要取决于品圆还是安装环节

A:90%依靠晶圆工艺，10%依靠包装技术。一是用HybridBonding代替TCB减少寄生电容，二是用好的材料散热。

Q:国内产能规划

A:(CoWoS 产能和 HBM 产能等比交换，产级交换，1个Cowos芯片=4个HBM 芯片)通密现有Cowos产能5K颗1月(相当于HBM产能2w颗1月，目前实际运行 1k1月)，今年年底量产线建设完成后，产能至少为200W颗粒1年，共计206W额1年。从今年年底到280w颗，盛合品微现有产能为160w颗。现有的长电微电子产能 到今年年底，6w颗一年。雨砂电子到25H1形成一条6W颗1年产量。

Q:HBM 目前不同次代的价格

A:HBM216GB(海光):23年底120美元，24Q1150美元。

HBM2E16GB(寒纪):23年底160-170美元，24Q1180美元。

Q:雨砂和谁合作？我已经在做了 HBM吗?

A:是中试钱，没有因定客户。还没开始做，但是现在有了所有的技术能力和设备。

Q:海光 HBM 需求情况

A:海光深算3在通富开发HBM，HBM2E16GB，1+5，1 颗假 die。产业链研究