创始人证券发布的研究报告指出，机器学习和人工智能相关应用对数据处理能力提出了更高的要求，产生了高带宽需求，先进的包装超越了摩尔定律，有助于进一步提高芯片集成。先进的包装市场模式呈现出明显的马太效应，FabIDM厂与OSAT错位竞争。为了实现芯片之间的高速互联，先进的包装技术趋势在于提高I/O数量和传输速率。

摘要如下：

推动先进封测占领市场的高带宽需求。机器学习和人工智能相关应用对数据处理能力提出了更高的要求，催生了高带宽需求，先进的包装超越了摩尔定律，有助于进一步提高芯片集成度。根据Yole，2014年先进包装占全球包装市场的39%左右，2022年占47%，预计2025年占50%左右。2.5D2021-2027年，CAGR达到14.34%，增量主要由AI增长、HPC、HBM等应用驱动。

先进的包装市场格局呈现出明显的马太效应，Fab/IDM厂与OSAT错位竞争。CR5占2016年先进封装市场的48%，2021年上升到76%，强者恒强。Fab/IDM厂和OSAT厂各自发挥自身优势，Fab/IDM厂凭借前道制造优势和硅加工经验，专注于2.5D或3D包装技术，而OSAT厂商专注于后道技术，倒装包装仍然是其主要产品。密封测试技术的主要指标是凸点间距（Bump Pitch），凸点间距越小，封装集成度越高，难度越大。从凸点间距来看，台积电3D Fabric技术平台下的3D SoIC、InFO、Cowos均处于前列，其中3D SoIC的最小凸点间距可达6um，在所有包装技术中排名第一。

为了实现芯片间的高速互联，先进的包装技术趋势在于提高I/O数量和传输速率。

1）键合技术：为了满足高集成度芯片的包装需求，混合键合已成为一种趋势。混合键合技术可达到10um以内的凸点间距，而目前的倒装技术可达到40-50um左右的凸点间距。

2）RDL：RDL重布线是晶圆包装的核心技术。RDL重新布置芯片内部电路接点，形成面阵列布置，实现芯片之间的紧密连接。目前，RDL主要采用电镀法制造，而大马士革法则可以满足低L/S的要求。

3）TSV：2.5D/3D封装的关键工艺。2.5D在/3D包装中，多个芯片通过中介层连接，TSV是连接中介层上下表面电信号的通道。

4)临时键合/解键合：随着圆形包装向大尺寸、三维堆叠和轻薄方向的发展，临时键合/解键合技术已成为超薄晶圆支撑和保护的新解决方案。

国内供应链梳理：

1)密封测试厂:积极布局先进的包装技术，推广产品+客户。长电技术、通富微电、永硅电子。

2)封测设备:国产替代深水区，后道设备新产品进度喜人。拓荆科技、芯源微、华海清科、新益昌、中微公司、盛美上海。

3)密封材料:国产化空间巨大，技术壁垒高，叠加长验证周期，打造优质竞争格局。兴森科技、天成科技、华海成科。

风险提示：下游需求复苏低于预期；行业竞争加剧；中美贸易摩擦加剧。来源方正证券